近期，由長晶科技承擔(dān)的江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目“低功耗高可靠超結(jié)MOS器件關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”順利通過江蘇省科技廳驗(yàn)收。

項(xiàng)目驗(yàn)收委員會(huì)圍繞項(xiàng)目研究內(nèi)容、指標(biāo)完成情況、關(guān)鍵技術(shù)、創(chuàng)新之處、項(xiàng)目成效和經(jīng)費(fèi)使用情況等方面進(jìn)行了全面核查，并審閱相關(guān)資料，經(jīng)現(xiàn)場質(zhì)詢、討論后一致認(rèn)為，該項(xiàng)目已完成規(guī)定指標(biāo)，經(jīng)費(fèi)使用合理，同意通過驗(yàn)收。

“低功耗高可靠超結(jié)MOS器件關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”項(xiàng)目由長晶科技牽頭，聯(lián)合電子科技大學(xué)共同承擔(dān)完成。該項(xiàng)目旨在突破超結(jié)器件的現(xiàn)有物理極限，并在此基礎(chǔ)上開展新結(jié)構(gòu)器件設(shè)計(jì)與制備技術(shù)、超結(jié)器件可靠性問題的研究，對(duì)于從根本上提升我國的超結(jié)MOS技術(shù)水平、通過自主創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代具有重要意義。